삼성전자가 이번에 개발한 30나노급 D램은 작년 1월 40나노급 D램을 개발한 뒤 1년만에 차세대 공정을 적용·개발한 것으로, 올해 하반기부터 본격적으로 양산에 들어갈 예정이다.
업계에서는 현재의 생산 공정에서 40나노급 D램을 한계로 여겨 왔으나, 삼성전자는 40나노급 D램을 개발한지 1년만에 30나노급 공정을 개발해 냈다.
삼성전자는 작년 12월 30나노급 2Gb DDR3 D램 단품과 노트북용 2GB 모듈 제품 샘플을 고객들에게 보내 지난 1월 중순 평가 완료했다.
30나노급 D램은 작년 7월 삼성전자가 세계 최초로 양산에 들어간 40나노급 D램에 비해 약 60%의 생산성을 증가시킬 수 있고, 50~60나노급 D램에 비해서는 원가 경쟁력을 2배 이상 확보할 수 있다.
또 30나노급 D램은 50나노급 D램과 비교해 소비전력을 약 30% 정도 절감할 수 있고, 40나노급 D램에 비해서는 15% 이상 소비전력을 줄일 수 있다.
삼성전자는 40나노급 공정에 이어 30나노급 공정을 1년만에 개발한 것은 DDR3 시장 확대에 맞춰 친환경 제품으로 서버에서부터 노트북까지 '그린 메모리' 전략을 강화한다는 의미라고 설명했다. 삼성전자는 30나노급 2Gb DDR3 D램에 혁신적인 설계 기술을 적용, 업계 최고의 데이터 처리 속도를 구현했다.
삼성전자는 서버 솔루션으로 동작전압 1.35V에서 동작 속도가 초당 1.6기가비트(Gbps)인 제품을 제공하고, PC 솔루션으로는 업계 최초로 1.866 기가비트(Gbps)까지 공급할 예정이다.
삼성전자 반도체사업부 메모리담당 조수인 사장은 "삼성전자가 이번에 30나노급 2Gb DDR3 제품을 성공적으로 개발함으로써 제조 경쟁력의 격차를 1년 이상 벌려 놨다"며 "30나노급 D램은 최고 성능의 친환경 솔루션을 제공해 고객들과의 윈윈 관계를 더욱 강화시킬 것"이라고 말했다.
삼성전자는 올해 하반기 30나노급 D램 양산을 계기로 전력소비가 큰 서버는 물론 노트북까지 적극적으로 '그린 메모리' 판매 비중을 확대해 나간다는 전략이다.
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